شماره مدرك :
1139
شماره مدرك :
1139پ
شماره راهنما :
1227
پديد آورنده :
سليمي جزي، حميدرضا
عنوان :

توليد و مشخصه يابي پوششهاي الماسي به روش HFCVD بر روي سيليسيم و تيغچه هاي كاربيد سمانته

محل تحصيل :
اصفهان : دانشگاه صنعتي اصفهان . دانشكده مواد
سال دفاع :
1378
صفحه شمار :
[الف ]، ده ، 113، ]I[ص .: مصور، جدول ، عكس ، نمودار
يادداشت :
استاد ممتحن مدعو : عليرضا ذاكرمشفق ,چكيده به فارسي و انگليسي
استاد راهنما :
سيف الله نصرآزاداني ، فخرالدين اشرفي زاده
توصيفگر ها :
توليد / مشخصه يابي / پوششهاي الماسي / DVCFH/ سيليسيم / تيغچه هاي كاربيد سمانته / خواص مكانيكي / فيزيكي / تربيولوژيكي / جوانه زني / رشد / رسوب شيميايي / فاز بخار / DVC/ ماشين كاري / طيف سنجي رامان / مادون قرمز / پراش اشعه ايكس / پوشش دهي /
تاريخ ورود اطلاعات :
1396/08/20
كتابنامه :
كتابنامه
دانشكده :
مهندسي مواد
كد ايرانداك :
ID1227
چكيده فارسي :
در اين پژوهش ابتدا دستگاه پوشش دهي الماس به روش رسوب شيميايي فاز بخار توسط فيلمان داغ )HFCVD(تكميل و راه اندازي شد. سپس امكان ايجاد پوششهاي الماسي بر روي نمونه هاي سيليسيمي ، تيغچه هاي برشي كاربيد سمانته حاوي 5 درصد كبالت خام و پوشش داده شده با TiNمورد بررسي قرار گرفت . بدليل كثرت پارامترهاي اجرايي در فرايند پوشش دهي ، با ثابت در نظر گرفتن پارامترهايي نظير فشار محفظه ، دماي فيلمان و دبي ورودي گاز تاثير ساير پارامترها از جمله تركيب شميايي گاز، درجه حرارت زير لايه ، خراش دادن سطح نمونه و فاصله فيلمان تا سطح نمونه مورد بررسي قرار گرفت . يافته هاي آزمايشي در اين تحقيقات نشان داد كه با استفاده از اين دستگاه مي توان پوششهاي الماسي با كيفيت خوب ، بر روي نمونه هاي سيليسيمي ، تيغچه هاي برشي كاربيدي خام و پوشش دار ايجاد كرد. روشهاي مشخصه يابي ميكروسكوپ الكتروني روبشي )SEM(، آناليز عنصري )EDS(، پراش اشعه ايكس )XRD(و طيف سنجي رامان جهت بررسي اين پوششها مورد استفاده قرار گرفته است . بر اساس نتايج بدست آمده ، پوششهاي الماسي بر روي سطوح سيليسيمي و تيغچه هاي كاربيد سمانته خام و پوشش داده شده در فشار Torr90، دماي بالاي C850 و تركيب شيميايي ... با كيفيت خوبي تشكيل مي شوند. همچنين خراش دادن سطح نمونه ها باعث افزايش دانسيته جوانه زني به ميزان قابل توجهي خواهد شد.
استاد راهنما :
سيف الله نصرآزاداني ، فخرالدين اشرفي زاده
لينک به اين مدرک :

بازگشت