پديد آورنده :
مسافري، محمدرضا
عنوان :
انتقال گاف نواري غير مستقيم به مستقيم در تك لايه ي سولفيد گاليوم
مقطع تحصيلي :
كارشناسي ارشد
محل تحصيل :
اصفهان: دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك
صفحه شمار :
ده، ۸۷ص.: مصور، جدول، نمودار
استاد راهنما :
اسماعيل عبدالحسيني سارسري
استاد مشاور :
مجتبي اعلايي
توصيفگر ها :
مواد دوبعدي , سولفيد گاليوم , گاف نواري
استاد داور :
ممتحن داخلي: جواد هاشمي فر، نفيسه رضايي
تاريخ ورود اطلاعات :
1397/07/24
چكيده فارسي :
چكيده با توجه به مطالعات گستردهاي كه روي مواد دوبعدي و تك بعدي صورت گرفته است جايگاه اين مواد در علوم نظري و تجربي پيوسته در حال افزايش بوده تاكنون پژوهشهاي زيادي روي آنها صورت گرفته و ويژگيهاي اين مواد را از جهات گوناگون الكتروني اپتيكي و مكانيكي مورد بررسي قرار دادهاند اين مواد به دليل اثر محدوديت كوانتومي داراي خواص متفاوتي نسبت به همان ماده در سه بعد هستند گرافن به عنوان اولين مادهاي كه توجهات زيادي را به خود جلب كرد در سال 4002 براي اولين بار ساختار تك اليهي آن ساخته شد به دنبال آن پژوهشگران دستهي ديگري از مواد را تحت عنوان فلزات واسطه دو كالكوژن معرفي كردند اين مواد بر خالف گرافن داراي گاف نواري بودند به سبب وجود گاف نواري در اين دسته از مواد به كارگيري آنها در ريز پردازندهها ترانزيستورهاي اثر ميدان و برخي ادوات اپتيكي فراهم شد اخيرا دستهي ديگري از اين مواد معرفي شدهاند تحت عنوان تك كالكوژنها سولفيد گاليوم در اين دست از مواد قرار دارد و به دليل برخي از ويژگيهاي ذاتي مانند خاصيت پيزوالكتريكي در ساختار تك اليه و نيمه فلزي بودن در ساختار نانو نوار مورد توجه است اين ماده همچون فلزات واسطه دو كالكوژن نيم رسانا ميباشد اما گاف نواري آن غير مستقيم بوده به همين سبب برخي از كاربردهاي آن محدود ميشود در اينجا تالش شده با استفاده از برخي روشهاي موجود از جمله اعمال كرنش در ساختار تك اليه و به كارگيري اتمهاي مختلف در ساختار نانو نوار انتقال گاف نواري غير مستقيم به مستقيم را در ساختار تك اليه و نانو نوار مورد بررسي قرار دهيم كرنش يك ابزار مهم براي مهندسي گاف نواري ميباشد با اعمال كرنش پارامترهاي هندسي ساختار دستخوش تغيير ميشوند اين اتفاق باعث ميشود بر همپوشانيهاي اوربيتالي نيز تغيير كند و شاهد تاثير آن روي ساختار نواري باشيم همچنين با بررسي ساختار نانو نوار زيگزاگ و دسته صندلي و به كارگيري اتمهاي مختلف براي خنثي سازي اثرات لبهاي تركيب و تاثير آن روي گاف نواري امكان انتفال گاف نواري غير مستقيم به مستقيم را بررسي كرديم كلمات كليدي مواد دوبعدي سولفيد گاليوم گاف نواري ده
چكيده انگليسي :
Indirect to direct band gap transition in monolayer gallium sulfide Mohammad reza Mosaferi Mr mosaferi@ph iut ac ir June 24 2018 Department of Physics Isfahan University of Technology Isfahan 84156 83111 Iran University Code IUT 77142Degree M Sc Language FarsiSupervisor Dr I Abdolhosseini Sarsariabdolhosseini@cc iut ac irAbstractMonolayer Gallium sulfide GaS was demonstrated as a promising two dimensional semiconducting material with considerable band gap Thepresent work investigates the band gap modulation of monolayer GaS underbiaxial or uniaxial strain by using Density functional theory calculation Wefound that monolayer GaS shows an indirect band gap that limits its opticalapplications The results show that monolayer GaS has a sizable band gap Under uniaxial strain a unique behavior of GaS is observed It shifts fromindirect to direct band gap semiconductor This behavior allowingapplications such as electroluminescent devices and laser The detailedreasons for the band gap modulation are also discussed by analyzing theprojected density of states PDOS It indicates that due to the role of pyorbital through uniaxial strain become more significant than others near theFermi level The indirect to direct band gap transition happen at 10y Moreover by investigating the strain energy and transverse response of thestructure under uniaxial strain we show that the monolayer GaS hasPoission s ratio of 0 23 and 0 24 in zigzag x and armchair y directions respectively Thus we conclude that the isotropic nature of mechanicalproperties under strain
استاد راهنما :
اسماعيل عبدالحسيني سارسري
استاد مشاور :
مجتبي اعلايي
استاد داور :
ممتحن داخلي: جواد هاشمي فر، نفيسه رضايي
