شماره مدرك :
17039
شماره راهنما :
15088
پديد آورنده :
خاموشي پور، الناز
عنوان :

طراحي و شبيه سازي يك ترانسفورماتور براي داپلكسر در تكنولوژي 180 نانومتري CMOS

مقطع تحصيلي :
كارشناسي ارشد
گرايش تحصيلي :
مخابرات ميدان و موج
محل تحصيل :
اصفهان : دانشگاه صنعتي اصفهان
سال دفاع :
1400
صفحه شمار :
هفده ، 80ص. : مصور (رنگي)،‌جدول، نمودار
استاد راهنما :
ابوالقاسم زيدآبادي نژاد، ذاكر حسين فيروزه
استاد مشاور :
اميررضا احمدي مهر
توصيفگر ها :
داپلكسر , تمام داپلكس , نيم داپلكس , جداسازي , خود تداخلي , روي تراشه
استاد داور :
احمد بخت افروز، محسن مداح علي
تاريخ ورود اطلاعات :
1400/10/05
كتابنامه :
كتابنامه
رشته تحصيلي :
مهندسي برق وكامپيوتر
دانشكده :
مهندسي برق و كامپيوتر
تاريخ ويرايش اطلاعات :
1400/12/24
كد ايرانداك :
2792416
چكيده فارسي :
با توجه به رشدنمايي نرخ داده‌هاي ارتباط بي‌سيم ، بايستي به دنبال تكامل استاندارد‌ها براي افزايش ظرفيت زير ساخت‌هاي بي‌سيم بود. با استفاده از داپلكسرها مي‌توان به تسهيل شبكه‌هاي بي‌سيم كمك كرد. داپلكسر يك عنصر غير‌فعال مايكروويو است كه در سيستم‌هاي فرستنده-گيرنده مورد استفاده قرار مي‌گيرد و درحاليكه فرستنده را از گيرنده جدا مي‌كند، امكان برقراري ارتباط در هردو جهت را فراهم مي‌سازد. داپلكسرها به دو دسته‌ي تمام‌داپلكس و نيم‌داپلكس تقسيم مي‌شوند. از جمله مزيت‌ تمام داپلكس نسبت به نيم داپلكس، امكان استفاده از ظرفيت كامل انتقال از هر دو جهت مي‌باشد. با توجه به مطالب گفته شده در اين پايان‌نامه داپلكسر تمام‌داپلكس‌ در گستره‌ي فركانسي 1 تا 3 گيگاهرتز مورد بررسي قرار خواهد گرفت. از جمله كاربردهاي باندهاي فركانسي در اين محدوده مي‌توان گفت: • 1800MHz براي شبكه مخابرات موبايل نسل 2G و 4G •2100MHz براي شبكه مخابرات موبايل نسل 3G •2400MHz براي بلوتوث، WiFi و WLAN •2600MHz براي شبكه مخابرات موبايل نسل 4G در راستاي طراحي و شبيه‌سازي يك داپلكسر با استفاده از تكنولوژي 180 نانومتر CMOS در بستر سيليكون براي ايجاد جداسازي 40 تا 50 دسي‌بل با پهناي باند 100 مگاهرتز به يك ترانسفورماتور با دو سلف تزويج‌شده كه هركدام ضريب كيفيت حدود 10 دارند، نياز است كه اين سلف‌ها و ترانسفورماتورها طراحي و شبيه سازي شده اند و در ترانسفورماتور ضريب كيفيت 11/46 و 10/2 در سلفهاي مارپيچي اوليه و ثانويه بدست آمد.
چكيده انگليسي :
Due to the exponential growth of wireless data rates, it is essential to find the evolution of standards to increase the capacity of wireless infrastructure. Using duplexers can help to facilitate the wireless networks. A duplexer is a passive microwave element used in transceiver systems that allows communication in both directions while separating the transmitter from the receiver. Duplexers are divided into two categories: full-duplex and half-duplex. due to the importance of all duplexes compared to half-duplexes, including the possibility of using the full transmission capacity in both directions. According to what is said in this dissertation, full-duplexers in the frequency range of one to three gigahertz will be examined. Among the applications of frequency bands in this range can be said: 1800 MHz: 2G and 4G mobile telecommunication network 2100 MHz: 3G mobile telecommunication network 2400 MHz: for blutooth, WiFi and WLAN 2600 MHz: 4G mobile telecommunication network In order to design and simulate a duplexer using CMOS 180 nm technology in a silicon substrate to create a isolation of 40 to 50 dB with a bandwidth of 100 MHz, a transformer with two inductors is required, each of which has a quality factor of about 10 These inductors and transformers are designed and simulated and was obtained quality factor 11.46 and 10.2 in first inductor and second inductor.
استاد راهنما :
ابوالقاسم زيدآبادي نژاد، ذاكر حسين فيروزه
استاد مشاور :
اميررضا احمدي مهر
استاد داور :
احمد بخت افروز، محسن مداح علي
لينک به اين مدرک :

بازگشت