شماره مدرك :
17919
شماره راهنما :
15645
پديد آورنده :
صادق پور جزي، محسن
عنوان :

تابش تك فوتون ماده دو بعدي تري‌كلكوژنايد ZnPS3 داراي نقص تهي‌جاي سولفور

مقطع تحصيلي :
كارشناسي ارشد
گرايش تحصيلي :
ماده‌چگال محاسباتي
محل تحصيل :
اصفهان : دانشگاه صنعتي اصفهان
سال دفاع :
1401
صفحه شمار :
دوازده، 68ص. : مصور، جدول، نمودار
استاد راهنما :
اسماعيل عبدالحسيني سارسري
استاد مشاور :
جواد هاشمي فر
توصيفگر ها :
نقص باردار , منبع تابش تك فوتون , نظريه تابع چگالي , تري كلكوژنايد , انرژي تشكيل نقص
استاد داور :
مجتبي اعلايي، فرهاد شهبازي
تاريخ ورود اطلاعات :
1401/08/01
كتابنامه :
كتابنامه
رشته تحصيلي :
فيزيك
دانشكده :
فيزيك
تاريخ ويرايش اطلاعات :
1401/08/01
كد ايرانداك :
2855975
چكيده فارسي :
در اين پايان نامه ابتدا نتايج انرژي تشكيل نقص باردار در ابرياخته دوبعدي موليبيديوم دي سولفايد ( MoS2 ) با استفاده از كوانتوم اسپرسو و كد كافي مطالعه شد. هدف ما از اين كار اطمينان از نتايجي بود كه كد كافي به ما خواهد داد. نتايج به دست آمده در اين مرحله سازگاري خوبي با نتايج كارهاي مشابه موجود داشت. در مرحله بعد نقص سولفور ابرياخته دوبعدي زينك فسفرو تري سولفايد ( ZnPS3 ) را مورد بررسي قرار داديم. بدين منظور ما ابتدا پارامترهاي محاسباتي از جمله k-point ها و انرژي قطع تابع موج را بهينه كرديم و سپس ساختار نواري الكتروني و منحني پراكندگي فنوني ZnPS3 را به دست آورديم و با نتايج موجود مقايسه كرديم. پس از اطمينان از صحت داده ها، ابرياخته ZnPS3 را تشكيل داده و نقص هاي آن را مورد بررسي قرار داديم. ما براي دو ابرياخته 6* 6 و 3 * 3 ترازهاي انرژي كه به واسطه ايجاد نقص در ابرياخته ايجاد مي شود را شناسايي كرديم. با نقصسولفور سه تراز انرژي به ترتيب با انرژي هاي 1٫9eV ، 2٫6eV و 2٫9eV در ابرياخته 3*3 ايجاد شد. اين ترازهاي انرژي كمترين مقدار براي فاكتور ΔQ را دارند. اين فاكتور بيانگر تغيير پيكربندي سامانه در دو حالت پايه و برانگيخته است. لذا اين ماده ارزش بررسي هاي بيشتر به عنوان گزينه خوب منبع تك فوتون را دارد.
چكيده انگليسي :
In this project, we examined the S vacancy defect in ZnPS3 trichalcogenides for single photon emitter and single photon detection applications. We used the VASP package for DFT calculation and the CoFFEE package for electrostatic correction of formation energy. As the result of formation energy, the neutral defect has minimum energy in the band gap region. We find three energy levels in the band gap region with minimum electron-phonon coupling. As a result, these three energy levels which have 1.9 eV,2.6 eV, and 2.9eV ZPL energy, are good candidate for single photon source or single photon detection.
استاد راهنما :
اسماعيل عبدالحسيني سارسري
استاد مشاور :
جواد هاشمي فر
استاد داور :
مجتبي اعلايي، فرهاد شهبازي
لينک به اين مدرک :

بازگشت