پديد آورنده :
نهايت فخار، مريم
عنوان :
مطالعه خواص ساختاري و الكتريكي لايه نازك منگنايتهاي ﴿La0.85A0.15MnO3(A:Ca،Sr
مقطع تحصيلي :
كارشناسي ارشد
محل تحصيل :
اصفهان: دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك
صفحه شمار :
چهارده، 107ص.: مصور
استاد راهنما :
حسين احمدوند
استاد مشاور :
پرويز كاملي
توصيفگر ها :
زيرلايه , روش سل - ژل , روش لايه نشاني ليزر پالسي , پذيرفتاري , مغناطومقاومت , مغناطومقاومت ناهمسانگرد
تاريخ نمايه سازي :
1394/09/17
استاد داور :
علي رستم نژادي، حميده شاكري پور
تاريخ ورود اطلاعات :
1396/10/06
چكيده فارسي :
1 چكيده در اين پايان نامه ويژگيهاي ساختاري الكتريكي و مغناطيسي نمونههاي كپهاي و اليهنازك منگنايتهاي 3 La0 85Sr0 15MnO و 3 La0 85Ca0 15MnO كه بهترتيب با LSMO و LCMO نشان داده ميشوند مورد بررسي قرار گرفته است نمونه پودري LSMO به روش سل ژل تهيه و سپس در دماي 1531 درجه سانتيگراد كلوخهسازي شد نتايج حاصل از پراش اشعه ايكس نشان ميدهد كه ساختار بلوري نمونه تركيبي از دو فاز راستگوشه با گروه فضايي Pnma و لوزي وجه با گروه فضايي R 3C است ويژگيهاي مغناطيسي نمونه كپهاي LSMO توسط پذيرفتاري مغناطيسي متناوب مورد بررسي قرار گرفت اندازهگيريها نشان دادند كه در اين نمونه يك گذار فاز پارامغناطيس فرومغناطيس در حدود دماي 952 كلوين رخ ميدهد اليهنشاني منگنايتهاي 3 La0 85Sr0 15MnO و 3 La0 85Ca0 15MnO بر روي زيراليه LaAlO3 LAO با استفاده از روش ليزر پالسي PLD صورت گرفت نتايج حاصل از پراش اشعه ايكس نشان ميدهند كه رشد اليهها بر روي زيراليه 111 LAO بهصورت همبافت و تكمحور در راستاي محور c است ويژگيهاي الكتريكي نمونههاي كپهاي و اليهنازك منگنايتهاي LSMO و LCMO با اندازهگيري مقاومت الكتريكي نمونهها در غياب و حضور ميدان مغناطيسي 11kOe مورد بررسي قرار گرفت در اين اندازهگيريها مشاهده ميشود كه در نمونهها با كاهش دما مقاومت الكتريكي يك حالت نيمرساناگونه را نشان مي دهد سپس يك گذار فاز عايق فلز آشكار مي شود با كاهش بيشتر دما حالت فلز گونه دوباره به حالت نيمرسانا گونه تبديل مي شود با اعمال ميدان مغناطيسي در نمونهها مشاهده شد كه مقاومت الكتريكي آنها كاهش مييابد كه اين پديده مغناطومقاومت MR ناميده ميشود هدف اصلي اين پايان نامه مطالعه پديده مغناطومقاومت ناهمسانگرد AMR وابستگي مقاومت الكتريكي به زاويه بين راستاي ميدان مغناطيسي و جهت جريانالكتريكي بوده است نتايج حاصل از اندازهگيري مغناطومقاومت ناهمسانگرد نشان ميدهند كه در نمونههاي كپهاي و اليهنازك مقاومت حالت موازي كمتر از مقاومت حالت عمود است همچنين مشاهده ميشود كه اين اثر در اليه نازك 3 La0 85Ca0 15MnO بزرگتر از 3 La0 85Sr0 15MnO مي باشد كه علت اين نكته احتماال بزرگتر بودن پارامتر عدم تطابق شبكه بين اليه LCMO و زيراليه LAO در مقايسه با مقدار آن در نمونه اليهنازك LSMO ميباشد كلمات كليدي منگنايت اليهنازك زيراليه روش سل ژل روش اليهنشاني ليزر پالسي پذيرفتاري مغناطومقاومت مغناطومقاومت ناهمسانگرد
چكيده انگليسي :
118 Study of structural and electrical properties of thin film of La0 85A0 15MnO3 A Sr Ca manganites Maryam Nahayat Fakhar m nahayat@ph iut ac ir Date of Submission 2015 05 29 Department of Physics Isfahan University of Technology Isfahan 84156 83111 Iran Degree M Sc Language FarsiSupervisor Hossein Ahmadvand Ahmadvand@cc iut ac irAbstractIn this thesis structural electrical and magnetic properties of polycrystalline bulk and thinfilm samples of La0 85Sr0 15MnO3 LSMO and La0 85Ca0 15MnO3 LCMO manganites havebeen studied The LSMO powder sample was prepared by sol gel method and then sintered at1350 C X ray diffraction pattern shows that the crystal structure of LSMO sample is amixture of orthorhombic space group Pnma and rhombohedral space group R 3C phases Magnetic properties of LSMO bulk sample was studied by ac magnetic susceptibility Theresults showed that the paramagnetic ferromagnetic transition is occurred at about 254 K The thin films of La0 85Sr0 15MnO3 and La0 85Ca0 15MnO3 manganites were deposited onLaAlO3 LAO substrate using the pulsed laser deposition PLD technique X ray diffraction XRD patterns showed that the thin films are c axis oriented on LAO substrate Electrical properties of the polycrystalline balk and thin film samples of LSMO and LCMOmanganites were studied by measuring the electrical resistance of the samples in the absenceand in the presence of magnetic field of 10kOe It was observed that when temperaturedecreases below room temperature the samples show a semiconducting behavior Then ametal insulator transition appears With a further reduction of temperature the semiconductingstate again appears The electrical resistance of the samples decreases in presence of magneticfield which is called magnetoresistance MR The main goal of this thesis was to investigatethe anisotropic magnetoresistance AMR AMR is defined as the dependence of resistivity onthe angle between the magnetic field and electrical current The results showed that in thebulk and thin film samples the parallel resistivity magnetic field parallel to electricalcurrent is less than the vertical resistivity magnetic field vertical to electrical current Moreover the results show that the thin film of La0 85Ca0 15MnO3 exhibit larger AMR relativeto the thin film of La0 85Sr0 15MnO3 This is most likely due to the larger lattice mismatch ofLCMO film LAO substrate relative to LSMO LAO Keywords Manganites Thin film substrate sol gol pulsed laser deposition susceptibility magnetoresistance anisotropic magnetoresistance
استاد راهنما :
حسين احمدوند
استاد مشاور :
پرويز كاملي
استاد داور :
علي رستم نژادي، حميده شاكري پور
