شماره مدرك :
11200
شماره راهنما :
10306
پديد آورنده :
عسگري، فرزانه
عنوان :

مغناطومقاومت در نمونه كپه اي و لايه نازك منگنايت La0.85 Ca0.15 MnO3

مقطع تحصيلي :
كارشناسي ارشد
گرايش تحصيلي :
فيزيك
محل تحصيل :
اصفهان: دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك
سال دفاع :
1394
صفحه شمار :
سيزده، 129ص.: مصور
استاد راهنما :
حسين احمدوند
استاد مشاور :
پرويز كاملي
توصيفگر ها :
لايه نشاني با استفاده از ليزر پالسي , مغناطو مقاومت ناهمسانگرد
استاد داور :
هادي سلامتي، مهدي رنجبر
تاريخ ورود اطلاعات :
1395/01/31
دانشكده :
فيزيك
كد ايرانداك :
ID10306
چكيده فارسي :
چكيده از زماني كه اثر مغناطومقاومت بسيار بزرگ CMR در منگنايتها با فرمول عمومي 3 RE1 x Mx MnO RE La Pr و M Ca Sr كشف شد اين مواد به طور وسيعي مورد مطالعه قرار گرفتند عالوه بر CMR اثر مغناطومقاومت ناهمسانگرد وابستگي مقاومت الكتريكي به جهت بين ميدان مغناطيسي و جريان الكتريكي AMR نيز در منگنايتها مشاهده ميشود هنوز نظريه مدوني جهت توجيه كامل مغناطومقاومت ناهمسانگرد در منگنايتها ارائه نشده است از اين رو محققان سعي دارند با مطالعه بيشتر اين اثر در منگنايتها به نظريهاي كامل دست يابند اغلب مطالعاتي كه در زمينه AMR در منگنايتها گزارش شده است به ناحيه فرومغناطيس فلزي مربوط ميشود به همين علت منگنايت 3 La0 85Ca0 15MnO كه در مرز گذار فاز فرومغناطيس فلزي و عايق قرار دارد در اين پروژه جهت مطالعه AMR انتخاب شد در اين پروژه تأثير ضخامت بر AMR اليه نازك 3 La0 85Ca0 15MnO با زيراليههاي LaAlO3 LAO و SrTiO3 STO مورد مطالعه قرار گرفته است اليهها به روش اليهنشاني ليزر پالسي PLD تهيه و ضخامت آنها با تعداد پالس ليزر كنترل شد تنش وارد بر اليههاي رشد يافته بر LAO حدود پنج برابر تنش وارد بر اليههاي با زيراليه STO به دست آمد نتايج اندازهگيري مقاومت نمونهها نشان ميدهند كه با كاهش ضخامت در اليههاي رشد يافته بر زير اليه LAO مقدار AMR افزايش مييابد در حالي كه در اليههاي با زيراليه AMR STO تقريبا ثابت ميماند همچنين AMR در دو نمونه كپهاي كه در دو دماي مختلف 1350 C و 1150 C ساخته شدند مورد بررسي قرار گرفت براساس نتايج با افزايش دماي پخت رفتار نمونه در دماهاي پائين از فرومغناطيس عايق به فرومغناطيس فلزي تغيير ميكند و مقدار AMR نيز افزايش مييابد كلمات كليدي 1 منگنايتها 2 اليهنشاني با استفاده از ليزر پالسي 3 مغناطومقاومت 9 مغناطومقاومت ناهمسانگرد
چكيده انگليسي :
031 Magnetoresistance of bulk and thin film of La0 85 Ca0 15 MnO3 manganite Farzaneh Asgari f asgari@ph iut ac ir Date of Submission 2015 21 10 Department of physics Isfahan University of Technology Isfahan 84156 83111 Iran Degree M S Language Farsi Supervisor Hossein Ahmadvand ahmadvand@cc iut ac ir Abstract In this thesis we studied the structural and electrical properties of the bulk and thin films of La0 85Ca0 15MnO3 LCMO manganite Our main aim is the study of the magnetoresistance MR and anisotropic magnetoresistance AMR the dependence of resistance on the angle between magnetic field and electrical current in this manganite The bulk samples were prepared by sol gel method and then sintered at 1150 and 1350 C Then we measured the temperature dependence of resistance of the bulk samples in the range of 100 300 K by four probe method The results showed that at low temperatures the sample sintered at 1150 C is in insulator ferromagnetic phase but the sample sintered at 1350 C is in metal ferromagnetic phase Moreover the magnitude of MR is higher in sample 1350 C The sample sintered at 1150 C shows low field magnetoresistance LFMR For both samples the maximum of AMR occurs near the metal insulator transition temperature However with increasing the sintering temperature the AMR peak becomes sharper We attributed the effect of sintering temperature on the electrical properties to the role of grain boundaries Thin films of LCMO were deposited on SrTiO3 STO and LaAlO3 LAO substrates by pulsed laser deposition PLD technique in two different thicknesses 70 and 240 nm The XRD results showed that the films are epitaxial Then we investigated the temperature dependence of MR and AMR of the films in the temperature range of 100 300 K and in the magnetic field range of 0 10 kOe The results showed that with decreasing the thickness of the films grown on LAO the magnitude of AMR increases about three times however for the films grown on STO the magnitude of AMR does not change with thickness It has been discussed that the larger AMR of the films on LAO originates from the higher lattice mismatch higher strain between the film and substrate Keywords Manganites Magnetoresistance Anisotropic Magnetoresistance Pulsed laser deposition Thin Film
استاد راهنما :
حسين احمدوند
استاد مشاور :
پرويز كاملي
استاد داور :
هادي سلامتي، مهدي رنجبر
لينک به اين مدرک :

بازگشت