12431

11380

كارشناسي ارشد

ماده چگال

اصفهان: دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك

1395

[هفت]،104ص.: مصور، جدول، شكل

ص. ع. به فارسي و انگليسي

اسماعيل عبدالحسيني سارسري

حسين احمدوند

پرويز كاملي، حميده شاكري پور

1396/02/25

كتابنامه

فيزيك

فيزيك

ID11380

چكيده باا خاواص متفااوت مقادار در اين پژوهش ساعي شاده كاه باهوسايله كامپوزيات منگنايات باا نيماههاادي مختلا مغناطومقاومات ميادان پاايين و ضاريب مقاومات حرارتاي بهباود پاذيرد همچناين خاواص سااختاري الكتريكاي ا ا ا ا ا ا ا مغناطيسي كامپوزيت با منگنايت خالص مقايسه شده است در ابتدا نمونهي منگنايت 3 LaBaMnO به روش سل ژل ساخته شد مقادير21درصد مولي از اكسايد روي آالياش يافتاه باا نقاره 12 ZnAgO درصاد ماولي اكسايد نقاره Ag2O و 5 23 21 21 درصد مولي از نيمه هادي اكسيد تنگستن 3 WO باا منگنايات 3 LaBaMnO باه روش اولتراسنيك كامپوزيت شد بررسيها نشان ميدهد كاه كامپوزيات منگنايات باا هركادا از نيماه هااديهاا باا روش ساخت يكسان نتايج متفاوتي به دنبال داشته است به طوريكه براي نمونه ZnAgO مقداري از Zn در درون شابكه منگنايت جاينشين شده و حجم ياخته واحد خواص الكتريكي و مغناطيسي آن را تحت تاثير قرار داده اسات دمااي گذار مغناطيسي و دماي گذار الكتريكي كامپوزيت نسبت به نموناه منگنايات خاالص كااهش يافتاه اسات همچناين حضور اين نيمه هادي به عنوان ماده ثانويه در بين دانههاي منگنايت باعث افزايش مقاومت الكتريكي ماده و افزايش مغناطومقاومت ميدان پايين نسبت به نمونه منگنايت خالص شده است افزايش مغناطومقاومت مربوط به بهباود تونال زني قطبش اسپيني الكترون ها در عبور از مرزدانههاا در اثار اعماال ميادان مغناطيساي اسات باه دليال داشاتن گاذار الكتريكي بسيار پهن در نمونه منگنايت خالص اندازه ضريب مقاومت حرارتي بهدست آمده مقادار كاوچكي اسات كه با كامپوزيت آن با نيمه هادي ZnAgO به مقدار كمي بهبود يافته اسات باراي نموناه منگنايات تركياب شاده باا Ag2O حجم ياخته واحد و دماي گذار مغناطيسي ثابت مانده است كه به علت جانشين نشدن نقره و واكنش نادادن با شبكه منگنايت است به عبارتي دو فاز بدون هيچ برهمكنشي جداگانه در كنار هم قرار گرفتهاناد وكامپوزيات باه طوركامل تشكيل شده است در كامپوزيت LBMO Ag2O مقاومت الكتريكي ماده كااهش يافتاه اسات كاه باه علت قرارگيري نقره فلزي در بين دانه هاي فرومغناطيس LBMO است و هدايت الكتريكاي كامپوزيات را افازايش داده است از طرفي ضريب مقاومت حرارتي براي نمونه كامپوزيت نسابت باه نموناه خاالص تغييار چناداني نداشاته است در نمونه كامپوزيت نيمه هادي 3 WO با منگنايت LBMO رفتار ماده نسبت به دو كامپوزيت ديگر متفااوت است در طي هاي پراش پرتو ايكس منگنايت با نيمه هادي 3 WO با درصدهاي مختل قلههاي ثانويه اي دركنار قلههاي اصلي منگنايت LBMO قرار دارد كه مربوط به فاز 4 BaWO است به عباارتي تنگساتن تاري اكساايد باا اتمهاي Ba موجود در منگنايت واكنش داده است و فاز ثانويه 4 BaWO تشاكيل داده اسات و باعاث تغييار گاروه فضايي و افزايش حجم ياخته واحد كامپوزيت نسبت به نمونه منگنايت خالص شده است حضور اين تركياب باعاث تبادل دوگانه بين دانههااي LBMO شاده اسات باه طاوري كاه باا افازايش ميازان كامپوزيات 3 WO باه تضعي منگنايت دماي كوري به تدريج كاهش مييابد همچنين با حضور ماده عايق 4 BaWO در بين داناههااي منگنايات تونل زني الكتروني در بين دانههاي LBMO تضعي شاده و مقاومات الكتريكاي افازايش ماي ياباد باراي تماامي نمونهها مغناطومقاومت ميدانهاي پايين و ضريب مقاومت حرارتي افزايش يافته است پراش پرتاو ايكاس 1 دمااي كاوري 4 مرزداناه 5 مغناطومقاومات 6 تونال زناي كليدي 3 كامپوزيت 1 طي اسپيني7 دماي گذار كوري و دماي گذار عايق فلز 1 ضريب مقاومت حرارتي

115 Investigation of the Ag2O Zn0 93Ag0 07O WO3 addition effect on structural electrical and magnetic properties of La0 78Ba0 22MnO3 Maryam Khajeh Sahouti m khajeh@ph iut ac ir Date of Submission 2017 03 8 Department of Physics Isfahan University of Technology Isfahan 84156 83111 Iran Degree M Sc Language FarsiSupervisor Ismaeil Abdolhosseini Sarsari abdolhosseini@cc iut ac irAbstractIn this research we tried to enhance low field magnetoresistance LFMR and temperaturecoefficient of resistance TCR by doping composite manganite with Ag2O ZnAgO WO3semiconductor Furthermore structural electrical and magnetic properties of these composites iscompared with pure manganite Firstly La0 78Ba0 22MnO3 powder was synthesized by sol gelmethod Secondly the LBMO powders were added into amount 20 mol of Zn99 03Ag0 07O 20 of mol Ag2O and 5 10 20 30 mol of WO3 powders with ethanol C2H5OH solution separatelyand dispersed via ultrasonic The analysis showed that LBMO Ag2O ZnAgO WO3 compositesshow different results although these composites synthesized with the same method ForLaBaMnO3 ZnAgO composite samples some part of the ZnO was mainly segregated at the grainboundaries of LBMO and small amount ZnO dissolved in LBMO lattice The presence of ZnO atthe grain boundaries increases the disordered states at the surface of the grains and therefore thelow temperature resistivity increased very quickly by adding ZnO The spin dependent tunnelingand scattering at the interfaces of the grain boundaries are responsible for the increasing ofLFMR By adding ZnO in the LBMO matrix the metal insulator transition temperature TMI isreduced while the resistivity of the composite is increased For LaBaMnO3 Ag2O compositesample Ag2O admixing did not cause any significant change in Curie temperature and latticeparameter of the composites Thus Ag did not substitute into the host LBMO matrix in LBMO Agcomposites This means that there was no reaction between Ag and LBMO grain in composite Generally Ag provides a conducting channel between the grains which leads to increaseconduction The results also showed that an enhancement in magnetoresistance MR effect of thecomposites by applying magnetic field however Metal insulator transition temperature TMI decreased For LaBaMnO3 xWO3 composite samples with x 0 0 1 0 2 0 3 0 4 x is nominalmolar fraction of WO3 XRD patterns of the composites showed that new phase appeared incomposites related to BaWO4 This indicate that reaction between LBMO and WO3 in compositeformed the second phase by name of BaWO4 This compound segregated at the grain boundariesor surfaces of the LBMO grains and brought energy barriers to the electrical transport process Ascompared to the pure LBMO the resistivity and magnetoreistance of all the composites wereincreased The reaction between tungsten trioxide atom and barium atoms in the manganite leadsto the change in space group and increases unit cell volume For all samples enhanced low fieldmagnetoresistance was obtained in the composites Keywords Composite LaBaMnO3 ZnAgO Ag2O WO3 XRD grain boundaries Low Fieldmagnetoresistance spin dependent tunneling metal insulator transition

اسماعيل عبدالحسيني سارسري

حسين احمدوند

پرويز كاملي، حميده شاكري پور