شماره مدرك :
14619
شماره راهنما :
13171
پديد آورنده :
آقائي اصفهاني، فرزانه
عنوان :

رشد لايه نازك FePd و CoPt3 به روش ليزر پالسي و بررسي ويژگي هاي مغناطيسي با روش مغناطواپتيكي كر

مقطع تحصيلي :
كارشناسي ارشد
گرايش تحصيلي :
ماده چگال
محل تحصيل :
اصفهان : دانشگاه صنعتي اصفهان
سال دفاع :
1398
صفحه شمار :
چهارده، 93ص.: مصور (رنگي)، جدول، نمودار
استاد راهنما :
حسين احمدوند
استاد مشاور :
پرويز كاملي
توصيفگر ها :
لايه هاي نازك CoPt3 وFePd , لايه نشاني ليزر پالسي , اثر مغناطواپتيكي كر
استاد داور :
جواد هاشمي فر، علي رستم نژادي
تاريخ ورود اطلاعات :
1398/02/22
كتابنامه :
كتابنامه
رشته تحصيلي :
فيزيك
دانشكده :
فيزيك
تاريخ ويرايش اطلاعات :
1398/02/22
كد ايرانداك :
2533846
چكيده فارسي :
چکیده لایه های نازک 3 CoPt و FePd به دلیل ناهمسکککانگردی مغناطیسکککی و مغناطش بالا یکی از گزینه های مناسکککب برای کاربرد در ضکککبط مغناطیسکی با چگالی بالا محسکوب می شکوند دسکتیابی به بهترین ساختار با ویژگی های مغناطیسی مطلوب وابسته به شرایط لایه نشانی می باشکد دمای لایه نشکانی دمای بازپخت ضکخامت لایه درصکد عناصکر و نوع زیر لایه از جمله عوامل تاثیر گذار برساختار و ویژگی های مغناطیسکی لایه می باشکد در این پروژه لایه های CoPt و FePd با روش لیزر پالسی ساخته شدند با تغییر شرایط لایه نشانی ویژگی های مغناطیسکی لایه ها بررسکی شکد همننین منحنی پسکماند مغناطیسی لایه ها با اثر مغناطو اپتیکی کر اندازه گیری شد لایه ها بر روی زیرلایه های quartz Si fused silica MgO رشد داده شدند برای همه ی زیرلایه ها محور آسان مغناطیسی لایه FePd درون صفحه بود اثر دمای بازپخت بازپخت در هیدروژن وتغییر درصککد عناصککر بر روی لایه ی FePd بررسککی شککد افزایش دمای بازپخت برای لایه ی FePd MgO باعث افزایش میدان وادارندگی شککد همننین میدان وادارندگی درحالت 16 Pd 41 Fe نسککبت به درصککد 15 15 بیشککتر بود برای لایه ی 3 CoPt تاثیر بازپخت درصککد عناصککر لایه ی پوشککش کی و تغییر ضککخامت مورد بررس کی قرار گرفت برای لایهی 3 CoPt در بعضکی از شکرایط ناهمسکانگردی مغناطیسی عمودی مشاهده شد دو راه برای دستیابی به ناهمسانگردی مغناطیسی عمودی بر روی زیر لایه MgO مطلوب واقع شککد الف لایه نشککانی در دمای 511 C ب لایه نشککانی در دمای اتاق و بازپخت در دمای 511 C بیشکترین ناهمسکانگردی عمودی در لایه نشانی در دمای 511 C با درصد 3 CoPt در ضخامت 5 nm مشاهده شد در این حالت میدان وادارندگی بالایی در حدود 5756 اورسککتد به دسککت آمد همننین لایه نشککانی با ضککخامت های بالاتر و درصککد های ترکیبی دیگر باعث کاهش ناهمسکانگردی عمودی شکد برای سکایر زیرلایه ها fused silica quartz نتایج نشان داد محور آسان درون صفحه قرار می گیرد کلمات کلیدی 1 لایه های نازک 3 CoPt و 2 FePd لایه نشانی لیزر پالسی 3 اثر مغناطواپتیکی کر
چكيده انگليسي :
PLD growth of FePd and CoPt3 thin films and characterization of their magnetic properties by magneto optical Kerr effect Farzaneh Aghaei Farzaneh aghaei@ph iut ac ir Date of Submission 2019 04 15 Department of Physics Isfahan University of Technology Isfahan 84156 83111 Iran Degree M Sc Language FarsiSupervisor Hossein Ahmadvand ahmadvand@cc iut ac irAbstractCoPt3 and FePd thin films have high magnetic anisotropy and high saturation magnetizationand are suitable candidate for high density magnetic recording Achieving the best structurewith optimal magnetic properties depends on the conditions of film deposition Thesubstrate substrate temperature post annealing temperature film s thickness and ratio theelements are the most important factors which influence the structural and magneticproperties of the deposited films In this project CoPt3 and FePd films were deposed usingpulsed laser deposition The magnetic hysteresis loop of the films was measured by themagneto optical Kerr effect Generally the films deposited on MgO fused silica Si andquartz substrates In all cases easy magnetic axis of the FePd was in plane The effect ofpost annealing temperature annealing in hydrogen and changing the Fe Pd ratio were alsoinvestigated As the post annealing temperature for the FePd MgO increased thecoercivity increased Annealing in hydrogen also contributed in increasing the coercivity Also the coercivity of 60 Pd 40 Fe was higher than 50 50 For CoPt3 film the effectof annealing ratio of elements coating layer and thickness were investigated For CoPt3film perpendicular magnetic anisotropy was observed under two conditions on MgOsubstrate First deposition at 500 C Second deposition at room temperature followingwith post annealing at 500 C The maximum perpendicular anisotropy was found by thedeposition at 500 C with for a film with 5 nm thickness In this case a high coercivityabout 6575 Oe was obtained Also deposition on other substrates showed that the filmshave in plane anisotropy Keywords CoPt3 thin film and FePd pulse laser deposition Magnetoptic Kerr effect
استاد راهنما :
حسين احمدوند
استاد مشاور :
پرويز كاملي
استاد داور :
جواد هاشمي فر، علي رستم نژادي
لينک به اين مدرک :

بازگشت