• شماره مدرك
    21312
  • شماره راهنما
    18242
  • پديد آورنده

    المشهداني، ايمن

  • عنوان

    ساخت و بررسي حسگر مقاومتي لايه‌نازك SnO₂ با كمك تابش فرابنفش براي تشخيص گاز هيدروژن

  • مقطع تحصيلي
    كارشناسي ارشد
  • گرايش تحصيلي
    ماده چگال
  • محل تحصيل
    اصفهان : دانشگاه صنعتي اصفهان
  • سال دفاع
    1405
  • صفحه شمار
    82ص
  • توصيفگر ها

    لايه نازك SnO₂ , حسگر هيدروژن , حسگر گازي مقاومتي , لايه‌نشاني ليزري پالسي , تابش فرابنفش , نيمه‌رساناي اكسيد فلزي , فعال‌سازي سطح

  • تاريخ ورود اطلاعات
    1405/07/17
  • كتابنامه
    كتابنامه
  • رشته تحصيلي
    فيزيك
  • دانشكده
    فيزيك
  • تاريخ ويرايش اطلاعات
    1405/07/21
  • كد ايرانداك
    23254150
  • چكيده فارسي
    هيدروژن به‌دليل چگالي انرژي بالا و عدم انتشار كربن در حين استفاده، به‌عنوان يك حامل انرژي پاك و اميدبخش مطرح شده است. بااين‌حال، قابليت اشتعال بالا و دامنه وسيع انفجاري هيدروژن، توسعه سامانه‌هاي تشخيص هيدروژن قابل‌اعتماد، حساس و كم‌مصرف را ضروري مي‌سازد. در اين مطالعه، حسگرهاي گازي مقاومتي لايه‌نازك SnO₂ با كمك تابش فرابنفش، به‌منظور كاربرد در تشخيص هيدروژن، بر روي زيرلايه‌هاي شيشه‌اي و با استفاده از روش لايه‌نشاني ليزري پالسي (PLD) ساخته شدند. تأثير مدت‌زمان تابش فرابنفش بر عملكرد تشخيص هيدروژن لايه‌هاي نازك SnO₂ به‌صورت نظام‌مند بررسي شد. حسگرهاي ساخته‌شده تحت زمان‌هاي مختلف تابش فرابنفش قرار گرفتند و ويژگي‌هاي حسگري آن‌ها از طريق اندازه‌گيري‌هاي ديناميكي مقاومت، تحت شرايط عملياتي مختلف، ارزيابي شد. تأثير مدت‌زمان تابش فرابنفش بر فعال‌سازي سطح و رفتار تشخيص هيدروژن SnO₂ از طريق مقايسه ويژگي‌هاي پاسخ نمونه‌هاي مختلف بررسي شد. عملكرد حسگري حسگرهاي ساخته‌شده SnO₂ با ارزيابي رفتار پاسخ ديناميكي، وابستگي به دماي عملياتي، اثر غلظت هيدروژن، گزينش‌پذيري و تأثير رطوبت مورد تحليل قرار گرفت. نتايج نشان دادند كه تابش فرابنفش با تغيير حالت‌هاي الكتروني سطح، افزايش رفتار جذب اكسيژن و بهبود برهم‌كنش بين مولكول‌هاي هيدروژن و گونه‌هاي اكسيژن جذب‌شده شيميايي، به‌طور قابل‌توجهي بر ويژگي‌هاي حسگري لايه‌هاي نازك SnO₂ تأثير مي‌گذارد. سازوكار تشخيص هيدروژن بر اساس مدل انتقال بار سطحي در نيمه‌رساناهاي نوع n از جنس SnO₂ تبيين شد. در اتمسفر هوا، جذب اكسيژن بر سطح SnO₂ منجر به تهي‌شدن الكترون‌ها و افزايش مقاومت حسگر مي‌شود. در اثر قرارگيري در معرض هيدروژن، واكنش بين مولكول‌هاي هيدروژن و گونه‌هاي اكسيژن جذب‌شده، الكترون‌ها را به نوار رسانش بازمي‌گرداند و در نتيجه موجب تغيير مقاومت مي‌شود. نتايج به‌دست‌آمده تأييد مي‌كنند كه تيمار فرابنفش روشي مؤثر براي بهبود عملكرد تشخيص هيدروژن حسگرهاي لايه‌نازك SnO₂ است. تركيب لايه‌هاي SnO₂ رشد‌يافته به روش PLD و فعال‌سازي سطح القاشده توسط تابش فرابنفش، راهبردي اميدبخش براي توسعه حسگرهاي مقاومتي هيدروژن كارآمد با ويژگي‌هاي حسگري بهبوديافته فراهم مي‌كند.
  • چكيده انگليسي
    Hydrogen has emerged as a promising clean energy carrier due to its high energy density an‎d zero carbon emission during utilization. However, the high flammability an‎d wide explosive range of hydrogen require the development of reliable, sensitive, an‎d low-power hydrogen detection systems. In this study, UV-assisted SnO₂ thin-film resistive gas sensors were fabricated on glass substrates using the pulsed laser deposition (PLD) technique for hydrogen sensing applications. The influence of UV irradiation duration on the hydrogen sensing performance of SnO₂ thin films was systematically investigated. The fabricated sensors were subjected to different UV treatment times, an‎d their sensing characteristics were eva‎luated through dynamic resistance measurements under various operating conditions. The effect of UV irradiation duration on the surface activation an‎d hydrogen sensing behavior of SnO₂ was investigated by comparing the response characteristics of different samples. The sensing performance of the fabricated SnO₂ sensors was analyzed by eva‎luating dynamic response behavior, operating temperature dependence, hydrogen concentration effects, selec‎tivity, an‎d humidity influence. The results demonstrated that UV irradiation significantly affects the sensing characteristics of SnO₂ thin films by modifying surface electronic states, enhancing oxygen adsorption behavior, an‎d improving the interaction between hydrogen molecules an‎d chemically adsorbed oxygen species. The hydrogen sensing mechanism was explained based on the surface charge transfer model of n-type SnO₂ semiconductors. In air atmosphere, oxygen adsorption on the SnO₂ surface leads to electron depletion an‎d an increase in sensor resistance. Upon exposure to hydrogen, the reaction between hydrogen molecules an‎d adsorbed oxygen species releases electrons back into the conduction ban‎d, resulting in resistance modulation. The obtained results confirm that UV treatment is an effective approach for improving the hydrogen sensing performance of SnO₂ thin-film sensors. The combination of PLD-grown SnO₂ films an‎d UV-induced surface activation provides a promising strategy for developing efficient resistive hydrogen sensors with improved sensing characteristics.
  • استاد راهنما
    مهدي رنجبر
  • استاد مشاور
    سميه كياني
  • استاد داور
    كيومرث زرگوش , پيمان صاحب سرا