پديد آورنده :
رباني اصفهاني، پيام
عنوان :
بررسي روش به كارگيري ممريستور براي استفاده در واحدهاي حافظه
مقطع تحصيلي :
كارشناسي ارشد
محل تحصيل :
اصفهان: دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده برق و كامپيوتر
صفحه شمار :
نه،81ص.: مصور،جدول،نمودار
يادداشت :
ص.ع.به فارسي و انگليسي
استاد راهنما :
رسول دهقاني
توصيفگر ها :
مدارهاي ممريستوري , المان غير خطي , سيستمهاي چند سطحي
تاريخ نمايه سازي :
12/3/93
استاد داور :
شادرخ سماوي، مسعود سيدي
دانشكده :
مهندسي برق و كامپيوتر
چكيده فارسي :
چكيده پيشرفت چشمگير علم لكترونيك در سالها خير تا حد زياد به دليل پيشرفت تكنولوژ ساخت لمانها لكترونيكي در بعاد ميكرومتر و نانومتر ست ممريستور نيز يكي ز لمان ها لكترونيكي ساسي ست كه به تازگي كشف شده و در بعاد زير ميكرون ساخته مي شود در سال ۸۰۰۲ شركت HP ساخت ولين نمونه ز ين قطعه ر علام كرد و پس ز آن توجه بسيار ز مر كز تحقيقاتي دنيا به آن جلب شد ين پايان نامه بتد به معرفي ممريستور و بررسي مشخصات لكتريكي آن مي پرد زد و كاربردها آن ر در زمينهها مختلف تكنولوژ لكترونيك بيان مي كند و مقايسه بين تكنولوژ ممريستور و چند فناور مشابه به عمل مي آورد پس ز معرفي چند ساختار مهم طر حي شده با ممريستور مد رها و حافظه ها طر حي شده در ين پايان نامه ر ئه شده و مز يا آنها نسبت به نمونه ها مشابه برشمرده خو هد شد ستفاده ز حافظه و منطق چند سطحي مهمترين دستاورد در طر حي و نوآور ها ين پروژه محسو مي شوند كه مكان بهبود در سرعت خو ندن طلاعات ز حافظه نرژ مصرف شده و سطح شغال شده بر رو تر شه مد رها مجتمع ر فر هم مي كند كلمات كليد ۱ مد رها ممريستور ۲ لمان غيرخطي ۳ سيستمها چند سطحي ۴ حافظه PDF created with pdfFactory Pro trial version www pdffactory com
چكيده انگليسي :
۸۲ Study of Methods of Memristor Application for Use in Memory Units Payam Rabbani Esfahani p rabbani@ec iut ac ir Date of Submission 1 18 2014 Department of Electrical and Computer Engineering Isfahan University of Technology Isfahan 84156 83111 Iran Degree M Sc Language Farsi Supervisor Rasool Dehghani dehghani@cc iut ac ir Abstract The salient advance in electronics science has occurred due to the huge progress in the electronic devices fabrication technology in Nano and Micro scales in recent years Memristor is a new electronic component which has been recently discovered and can be fabricated in sub micron dimensions A working prototype of memristor was announced by HP Company for the first time in 2008 Since then it has drawn many research centers attentions from all over the world In this thesis first memristor is introduced and its electrical characteristics and applications in different areas are described Then the performances of different technologies in which memristor somehow are used are compared to each other After introducing several main structures designed by using memristor the proposed circuits and memories are studied and their advantages compared with similar works are discussed The feasibility of using memristors to implement multilevel memory and logic is one of the most important advantages of these devices that are presented in this work It is shown that it can improve some important memory parameters such as read speed power consumption and occupied area of the chip in an integrated circuit technology Keywords Memristor Circuits Nonlinear Element Multilevel Architecture Memory PDF created with pdfFactory Pro trial version www pdffactory com
استاد راهنما :
رسول دهقاني
استاد داور :
شادرخ سماوي، مسعود سيدي
